|
В виде календаря
|
Актуальные новости:
06 ноября 2025 - ФНС России проводит Всероссийский Налоговый диктант 24 октября 2025 - Интернет-олимпиада по экономике и бухгалтерскому учету: вниманию студентов средних … 24 октября 2025 - Республиканская олимпиада по экономике: вниманию старшеклассников школ! 22 октября 2025 - Тестовый доступ к ЭБС «Руконт» 22 октября 2025 - Тестовый доступ к «Знаниум» 21 октября 2025 - Олимпиада по морфологии и физиологии животных 20 октября 2025 - В Чувашском ГАУ проводится конкурс-выставка "Дары осени" 13 октября 2025 - 22 января 2026 г. – конференция «Актуальные проблемы физической культуры и спорта в… 09 октября 2025 - 18 ноября – конференция «Научно-образовательные и прикладные аспекты производства и… 08 октября 2025 - ШКОЛА СЫРОДЕЛА. Квалификация «Сыродел-мастер» 6 разряда Молодой ученый Чувашской ГСХА выиграл грант на проведение исследований
Дата: 15 ноября 2019 | Категория: Новости
Команда работает под руководством доктора физико-математических наук, профессора, ведущего научного сотрудника Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского Давида Исааковича Тетельбаума. Сумма гранта - 5000000 руб. Проект является международным и выполняется в рамках сотрудничества с учеными из Бразилии, России, Индии и Китая. Он посвящен экспериментальному и теоретическому исследованию влиянию дефектов и примесей на свойства Ga2O3. В данном проекте будут использованы неравновесные методы получения и модификации слоев и наноструктур на основе Ga2O3 – ионная имплантация и магнетронное осаждение, позволяющие контролируемым образом вводить дефекты и примеси заданного вида и с заданной концентрацией. Для исследования свойств создаваемых материалов и наноструктур будут привлечены современные аналитические методы, а теоретические исследования будут выполняться путем компьютерного моделирования методами расчетов из первых принципов и молекулярной динамики с применением суперкомпьютеров Ломоносов и Лобачевский. Результаты исследований будут использованы при изготовлении лабораторных образцов фотоприемников ультрафиолетового излучения и газовых сенсоров. |
|