Представитель Чувашской ГСХА выступил с докладом на XV Международной конференции «Перспективы развития фундаментальных наук»
Старший преподаватель кафедры физики математики и информационных технологий инженерного факультета Чувашской государственной сельскохозяйственной академии Антон Степанов принял участие в работе XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Перспективы развития фундаментальных наук» (г. Томск, 24-27 апреля 2018 г.).
26 апреля представитель аграрного вуза выступил на секции «Физика» с докладом «Моделирование каналирования ионов низких энергий в углеродных нанотрубках». Доклад посвящен исследованиям эффекта каналирования ионов низких энергий в углеродных нанотрубках. Работа выполнена под руководством профессора, д.ф.-м.н. Г.М.Филиппова. По итогам конкурса докладов А.В. Степанов занял 2 место.
Целью представленной на конференции работы было исследование каналирования атомных частиц низких энергий в УНТ с углами, близкими к критическим. Каналирование ионов низких энергий в углеродных нанотрубках может быть использован для доставки химических веществ в зону реакции, для селективного ионного травления отдельных участков тонких пленок при создании современных полупроводниковых приборов.
Расчеты методом молекулярной динамики были выполнены при помощи суперкомпьютерного центра «Ломоносов-1» (МГУ им. М. В. Ломоносова).
26 апреля представитель аграрного вуза выступил на секции «Физика» с докладом «Моделирование каналирования ионов низких энергий в углеродных нанотрубках». Доклад посвящен исследованиям эффекта каналирования ионов низких энергий в углеродных нанотрубках. Работа выполнена под руководством профессора, д.ф.-м.н. Г.М.Филиппова. По итогам конкурса докладов А.В. Степанов занял 2 место.
Целью представленной на конференции работы было исследование каналирования атомных частиц низких энергий в УНТ с углами, близкими к критическим. Каналирование ионов низких энергий в углеродных нанотрубках может быть использован для доставки химических веществ в зону реакции, для селективного ионного травления отдельных участков тонких пленок при создании современных полупроводниковых приборов.
Расчеты методом молекулярной динамики были выполнены при помощи суперкомпьютерного центра «Ломоносов-1» (МГУ им. М. В. Ломоносова).
